РЕБ на 50 ВТ на GaN

Реб побудовано на базі джамера на GaN транзисторі з циркулятором.

Основні характеристики:

• • Ціна: 18 000 грн

  • Потужність: 50 Вт

  • Живлення: 12 В / 220 В (на вибір)

  • Антена: Всенаправлена (омні)

  • Корпус: Алюмінієвий з класом захисту IP65

  • Комплектація: підставка та зручний тримач-ручка

  • Акумулятор: Не входить у комплект — працює від зовнішнього джерела

  • Виконаний на GaN транзисторі з вбудованим циркулятором для підвищеної надійності та ефективності

  • Споживання від 12В орієнтовно ≈78 ВТ, від 220В ≈83 Вт

  • Генератор сигналу: VCO (аналоговий)

Замовити

• Не боїться пилу, дощу чи бруду

• Легкий алюмінєвий корпус та кріплення.

• Працює в екстремальних температурах

• Мінімальні вимоги до живлення

Хоча РЕБ на GaN транзисторах суттєво збільшує ціну кожного РЕБа але це суттєво зменшує перегрів.

Циркулятор дозволяє змістити сумугу частота на 10-20 МГц, У разі передзамовлення РЕБ, можемо підлаштувати більш кастомну частоту в процесі збірки РЕБ, якщо потрібно.уп